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37 Offres en Solid-state Physics

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RÉSULTATS (37 EMPLOIS)
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Localisation: France | Se termine le oct. 31
PhD - Modèles de Champ de Phase et évolution des interfaces aux états initiaux de la croissance cristalline
SL-DRT-20-0924 DOMAINE DE RECHERCHE Photonique, imageurs et écrans RÉSUMÉ DU SUJET La recherche proposée concerne la modélisation de la physique de la croissance cristalline impliquée dans le « Vertical Gradient Freeze » (VGF), une méthode qui permet la...
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Localisation: France | Se termine le oct. 31
PhD position - Phase Field Models and Undestanding Interface Evolution at Crystal Growth Initial States
SL-DRT-20-0924 RESEARCH FIELD Photonics, Imaging and displays ABSTRACT The proposed research concerns modeling the physics of crystal growth involved in Vertical Gradient Freeze (VGF), a method that allows the manufacturing of large ingots for the...
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PhD – Modélisation et simulation de la dynamique ultra-rapide des charges et de l’énergie dans des nanosystèmes
Nom du directeur de thèse : Fabienne Michelini Tel : + 33 4 91 28 87 28 E-Mail : fabienne.michelini@univ-amu.fr Laboratoire : IM2NP Financement : demandé Type de financement : contrat doctoral Résumé Les progrès récents dans la physique et la...
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PhD - Conversion et dynamique des parois de domaines et skyrmions magnétiques
Laboratoire : IM2NP Directeurs de thèse : Dolocan Voicu, Sylvain Bertaina Coordonnées : voicu.dolocan@im2np.fr  Sujet : Conversion et dynamique des parois de domaines et skyrmions magnétiques Description du sujet :             Une paroi de domaine...
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Localisation: France
Post Doc - Modélisation des effets de piégeages et des fuites verticales dans les substrats épitaxiés GaN sur Si
PsD-DRT-20-0043 DOMAINE DE RECHERCHE Electronique et microélectronique - Optoélectronique RÉSUMÉ DU SUJET Etat de l'art : La compréhension et la modélisation des fuites verticales et des effets de piégeages dans les substrats GaN sur Si font partie des...
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Localisation: France
Post Doc - Modeling of trapping and vertical leakage effects in GaN epitaxial substrates on Si
PsD-DRT-20-0043 RESEARCH FIELD Electronics and microelectronics - Optoelectronics ABSTRACT State of the art: Understanding and modeling vertical leakage currents and trapping effects in GaN substrates on Si are among the crucial subjects of studies aimed at...
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Localisation: France
Post Doc - Propriétés électroniques de super-réseaux van der Waals GeSbTe pour les nouvelles mémoires résistives iPCMs (interfacial Phase-Change Memories)
PsD-DRT-20-0031 DOMAINE DE RECHERCHE Matériaux et procédés émergents pour les nanotechnologies et la microélectronique RÉSUMÉ DU SUJET Les mémoires résistives à changement de phase (PCMs) sont les meilleures candidates pour remplacer les mémoires...
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Localisation: France
Post Doc - Electronic properties of van der Waals layered GeSbTe superlattices for innovative resistive interfacial Phase-Change Memories (iPCM)
PsD-DRT-20-0031 RESEARCH FIELD Emerging materials and processes for nanotechnologies and microelectronics ABSTRACT Resistive Phase-Change Memories (PCMs) are the best candidates in order to replace Flash memories, realization of storage class memories (SCMs)...
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Localisation: France | Se termine le oct. 31
PhD - µ-LEDs à base de semiconducteurs nitrures d'orientation semi-polaire
SL-DRT-20-0813 DOMAINE DE RECHERCHE Photonique, imageurs et écrans RÉSUMÉ DU SUJET Les microLEDs a base de GaN sont en passe de révolutionner le domaine des écrans, aussi bien pour réaliser les microécrans ultra lumineux pour les applications réalité...
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Localisation: France | Se termine le oct. 31
PhD position - µ-LEDs based on nitride semiconductors in semi-polar orientation
SL-DRT-20-0813 RESEARCH FIELD Photonics, Imaging and displays ABSTRACT GaN-based microLEDs are on the verge to revolutionize the display world, on one hand providing ultra-high brightness microdisplays for augmented reality applications, on the other hand...