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RÉSULTATS (1399 EMPLOIS)
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Localisation: Grenoble, France | Se termine le oct. 31
PhD - Etude de la fiabilité et des mécanismes de dégradation dans les composants GaN sur silicium pour des applications de puissance
SL-DRT-18-0438 DOMAINE DE RECHERCHE Electronique et microélectronique - Optoélectronique RÉSUMÉ DU SUJET L'avènement des véhicules électriques et des batteries de stockage d'énergie ont conduit à une croissance très importante du marché des composants...
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Localisation: Grenoble, France | Se termine le oct. 31
PhD - Démélange spectral et classification en imagerie hyperspectrale de rayons X
SL-DRT-18-0731 DOMAINE DE RECHERCHE Mathématiques - Analyse numérique - Simulation RÉSUMÉ DU SUJET Dans le cadre de ses développements en imagerie par Rayons X (RX), le LETI étudie l'apport de nouveaux détecteurs RX hyperspectraux à base de CdTe...
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Localisation: Grenoble, France | Se termine le oct. 31
PhD position - Millimeter-wave local oscillator using silicon photonics and advanced CMOS, for high-order modulation wireless communications
SL-DRT-18-0720 RESEARCH FIELD Electronics and microelectronics - Optoelectronics ABSTRACT This Ph.D. thesis addresses the generation of local oscillator signals for RF transceivers operating at mmW frequencies (several 10ths of GHz). To enable the...
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Localisation: Grenoble, France | Se termine le oct. 31
PhD position - Phase-Change Memory for high density Storage Class Memory applications
SL-DRT-18-0691 RESEARCH FIELD Electronics and microelectronics - Optoelectronics ABSTRACT Nowadays, the need of a data storage infrastructure allowing Big Data processing requires memory devices with improved performance. The objective of this PhD is the...
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Localisation: Grenoble, France
Post Doc - Architectures innovantes de diodes de puissance GaN-on-Si pour performances à fort courant améliorées
PsD-DRT-18-0027 DOMAINE DE RECHERCHE Electronique et microélectronique - Optoélectronique RÉSUMÉ DU SUJET Les diodes GaN latérales basées sur une architecture de type HEMT (identique à celles des transistors HEMT GaN) sont développées depuis plusieurs...
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Localisation: Grenoble, France
Post Doc - Développement d'actionneur piézoélectrique sans plomb en couches minces
PsD-DRT-18-0033 DOMAINE DE RECHERCHE Matériaux et applications RÉSUMÉ DU SUJET Au sein de CEA-Tech, l’Institut LETI crée de l’innovation et la transfère à l’industrie. Le LCMA, laboratoire de composants micro-actionneurs, travaille sur...
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CEA Tech
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Localisation: Grenoble, France
Post Doc - Innovative GaN-on-Si power diode architectures for improved high current performance
PsD-DRT-18-0027 RESEARCH FIELD Electronics and microelectronics - Optoelectronics ABSTRACT Lateral GaN diodes, based upon a HEMT-type architecture (similar to GaN HEMT transistors) have been developed during several years by industrial (Transphorm,...
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CEA Tech
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Localisation: Grenoble, France
Post Doc - Development of lead free piezoelectric actuator
PsD-DRT-18-0033 RESEARCH FIELD Materials and applications ABSTRACT At CEA-Tech, the LETI Institute creates innovation and transfers it to industry. The micro-actuator component laboratory (LCMA) is working on the integration of piezoelectric materials into...
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Institut Gustave Roussy
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Localisation: Villejuif, France
Post-doctoral positions in genomic instability
2-­year postdoctoral positions are available in the Genetic Instability and Oncogenesis Laboratory, a joint research unit of the National Center for Scientific Research and University Paris-­Saclay, formed by leading scientists in the field of DNA damage response and repair....
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Institut Gustave Roussy
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Localisation: Villejuif, France | Se termine le févr. 15
Apply for the “Course of Excellence in Oncology – Fondation Philanthropia”
Doctors, pharmacists and engineers holding a Masters degree or equivalent: do you have the ambition to make major advances in tackling the worldwide scourge of cancer? Work for your doctorate within one of the most highly reputed research teams in oncology. Fulfill...